Код товара:
FF200R17KE3S4Артикул:
FF200R17KE3S4Производитель:
InfineonКатегория
Модули IGBTДаташит
Даташит FF200R17KE3S4 PDF
42309
27891.47р.
Td(off)
700nsPd - Power Dissipation
1.25kW1.25kW 310A 1.7kV FS (Field Stop) IGBT Modules RoHS
Официальный технический даташит Infineon FF200R17KE3S4 (артикул FF200R17KE3S4): Даташит FF200R17KE3S4 PDF.
Характеристики
Td(off)
700ns
Pd - Power Dissipation
1.25kW
Td(on)
240ns
Current - Collector(Ic)
310A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.7kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
580pF
IGBT Type
FS (Field Stop)
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
5.8V
Vce Saturation(VCE(sat))
2.3V
Switching Energy(Eoff)
35mJ
Turn-On Energy (Eon)
53mJ
Operating Temperature
-40℃~+125℃@(Tj)
Input Capacitance(Cies)
18nF@25V
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
10
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85416010
HTS_TARIC
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_CN
8541600000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_CA
8541600010
HTS_US
8541600080
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
