Код товара:
FF200R12KT4Артикул:
FF200R12KT4Производитель:
InfineonКатегория
Модули IGBTДаташит
Даташит FF200R12KT4 PDF
45804
4459.11р.
Td(off)
450nsPd - Power Dissipation
1.1kWIGBT IGBT Module 1.2kV 320A 1.1kW Screw Terminals
Официальный технический даташит Infineon FF200R12KT4 (артикул FF200R12KT4): Даташит FF200R12KT4 PDF.
Характеристики
Td(off)
450ns
Pd - Power Dissipation
1.1kW
Td(on)
160ns
Current - Collector(Ic)
320A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
500pF
IGBT Type
IGBT Module
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
5.8V@7.6mA
Gate Charge(Qg)
1.8uC@30V
Vce Saturation(VCE(sat))
1.75V@200A,15V
Switching Energy(Eoff)
14mJ
Turn-On Energy (Eon)
10mJ
Operating Temperature
-40℃~+150℃
Input Capacitance(Cies)
1.4nF@25V
Package
Screw Terminals
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
10
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85416010
HTS_TARIC
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_CN
8541600000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_CA
8541600010
HTS_US
8541600080
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
