Код товара:
FF200R12KT3EАртикул:
FF200R12KT3EПроизводитель:
InfineonКатегория
Модули IGBTДаташит
Даташит FF200R12KT3E PDF
9003
21455.72р.
Pd - Power Dissipation
1.05kWCurrent - Collector(Ic)
200A1.05kW 200A 1.2kV IGBT Module IGBT Modules RoHS
Официальный технический даташит Infineon FF200R12KT3E (артикул FF200R12KT3E): Даташит FF200R12KT3E PDF.
Характеристики
Pd - Power Dissipation
1.05kW
Current - Collector(Ic)
200A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
500pF
IGBT Type
IGBT Module
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
2.15V@15V,200A
Operating Temperature
-40℃~+125℃
Input Capacitance(Cies)
14nF@25V
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
10
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85416010
HTS_TARIC
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_CN
8541600000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_CA
8541600010
HTS_US
8541600080
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
