Код товара:
FF200R12KS4Артикул:
FF200R12KS4Производитель:
InfineonКатегория
Модули IGBTДаташит
Даташит FF200R12KS4 PDF
47738
10402.71р.
Pd - Power Dissipation
1.4kWTd(off)
530ns1.4kW 275A 1.2kV IGBT Module Screw Terminals IGBT Modules RoHS
Официальный технический даташит Infineon FF200R12KS4 (артикул FF200R12KS4): Даташит FF200R12KS4 PDF.
Характеристики
Pd - Power Dissipation
1.4kW
Td(off)
530ns
Td(on)
100ns
Current - Collector(Ic)
275A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
850pF
IGBT Type
IGBT Module
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
4.5V@8mA
Gate Charge(Qg)
2.1uC@15V
Vce Saturation(VCE(sat))
3.85V@200A,15V
Switching Energy(Eoff)
12mJ
Turn-On Energy (Eon)
19mJ
Operating Temperature
-40℃~+125℃
Input Capacitance(Cies)
13nF
Package
Screw Terminals
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
10
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85416010
HTS_TARIC
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_CN
8541600000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_CA
8541600010
HTS_US
8541600080
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
