Код товара:
FF200R12KE3B2Артикул:
FF200R12KE3B2Производитель:
InfineonКатегория
Модули IGBTДаташит
Даташит FF200R12KE3B2 PDF
12236
21878.67р.
Pd - Power Dissipation
1.05kWCurrent - Collector(Ic)
295A1.05kW 295A 1.2kV IGBT Modules RoHS
Официальный технический даташит Infineon FF200R12KE3B2 (артикул FF200R12KE3B2): Даташит FF200R12KE3B2 PDF.
Характеристики
Pd - Power Dissipation
1.05kW
Current - Collector(Ic)
295A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
500pF
Gate Charge(Qg)
1.9uC@15V
Operating Temperature
-40℃~+125℃
Input Capacitance(Cies)
14nF@25V
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
10
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85416010
HTS_TARIC
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_CN
8541600000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_CA
8541600010
HTS_US
8541600080
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
