Код товара:
FF200R12KE4Артикул:
FF200R12KE4Производитель:
InfineonКатегория
Модули IGBTДаташит
Даташит FF200R12KE4 PDF
77126
15323.82р.
Td(off)
500nsPd - Power Dissipation
1.1kW1.1kW 240A 1.2kV FS (Field Stop) IGBT Modules RoHS
Официальный технический даташит Infineon FF200R12KE4 (артикул FF200R12KE4): Даташит FF200R12KE4 PDF.
Характеристики
Td(off)
500ns
Pd - Power Dissipation
1.1kW
Td(on)
200ns
Current - Collector(Ic)
240A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
500pF
IGBT Type
FS (Field Stop)
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
2.15V@15V,200A
Gate Charge(Qg)
1.8uC@15V
Switching Energy(Eoff)
17mJ
Turn-On Energy (Eon)
10mJ
Operating Temperature
-40℃~+150℃@(Tj)
Input Capacitance(Cies)
14nF@25V
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
10
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85416010
HTS_TARIC
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_CN
8541600000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_CA
8541600010
HTS_US
8541600080
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
