Код товара:
FF200R12KS4PАртикул:
FF200R12KS4PПроизводитель:
InfineonКатегория
Модули IGBTДаташит
Даташит FF200R12KS4P PDF
11504
28338.85р.
Td(off)
530ns;550nsPd - Power Dissipation
1.4kW1.4kW 275A 1.2kV IGBT Modules RoHS
Официальный технический даташит Infineon FF200R12KS4P (артикул FF200R12KS4P): Даташит FF200R12KS4P PDF.
Характеристики
Td(off)
530ns;550ns
Pd - Power Dissipation
1.4kW
Td(on)
100ns;110ns
Current - Collector(Ic)
275A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
850pF
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
3.7V@15V,200A
Gate Charge(Qg)
2.1nC@15V
Vce Saturation(VCE(sat))
3.2V;3.85V
Switching Energy(Eoff)
12mJ
Turn-On Energy (Eon)
19mJ
Operating Temperature
-40℃~+125℃
Input Capacitance(Cies)
13nF@25V
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
8
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85416010
HTS_TARIC
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_CN
8541600000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_CA
8541600010
HTS_US
8541600080
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
