Код товара:
FF200R17KE4Артикул:
FF200R17KE4Производитель:
InfineonКатегория
Модули IGBTДаташит
Даташит FF200R17KE4 PDF
24247
9199.63р.
Pd - Power Dissipation
1.25kWTd(off)
700nsIGBT 1.7kV 200A 1250W Screw Terminals
Официальный технический даташит Infineon FF200R17KE4 (артикул FF200R17KE4): Даташит FF200R17KE4 PDF.
Характеристики
Pd - Power Dissipation
1.25kW
Td(off)
700ns
Td(on)
240ns
Current - Collector(Ic)
200A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.7kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
580pF
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
5.2V@8.00mA
Gate Charge(Qg)
2.3uC@15V
Vce Saturation(VCE(sat))
1.95V@200A,15V
Switching Energy(Eoff)
35mJ
Turn-On Energy (Eon)
53mJ
Operating Temperature
-40℃~+150℃
Input Capacitance(Cies)
18nF
Package
Screw Terminals
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
10
Sales Unit
Piece
HTS_BR
85416010
HTS_TARIC
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_CN
8541600000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_CA
8541600010
HTS_US
8541600080
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
