Код товара:
DGD0507AFN-7Артикул:
DGD0507AFN-7Производитель:
DIODESКатегория
Драйверы затворовДаташит
Даташит DGD0507AFN-7 PDF
45981
77.54р.
Low Level Delay Time
20nsHigh Level Delay Time
23nsHalf-Bridge Gate Driver IC MOSFET DFN3030-10-EP
Официальный технический даташит DIODES DGD0507AFN-7 (артикул DGD0507AFN-7): Даташит DGD0507AFN-7 PDF.
Характеристики
Low Level Delay Time
20ns
High Level Delay Time
23ns
Quiescent Current
130uA
Voltage - Supply
8V~14V
Driven Configuration
Half-Bridge
Operating Temperature
-40℃~+125℃
Current - Output Low(IOL)
2A
Rise Time
16ns
Fall Time
18ns
Features
Interleaved conduction protection;Built-in bootstrap diode
Current - Output High(IOH)
1.5A
Load Type
MOSFET
Package
DFN3030-10-EP
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
3000
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85423999
HTS_TARIC
8542399000
HTS_IN
85423900
HTS_CN
8542399000
HTS_MX
8542.39.99
HTS_CA
8542390000
HTS_US
8542390001
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
