Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IKW30N65ES5
Артикул:
IKW30N65ES5
Производитель:
Infineon
95
277.44р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
ECCN
EAR99
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
70nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
4V@0.3mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
Input Capacitance(Cies)
1.8nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃
Output Capacitance(Coes)
55pF
Package
TO-247-3
Pd - Power Dissipation
188W
Pulsed Current- Forward(Ifm)
120A
Reverse Recovery Time(trr)
75ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
7pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
320uJ
Td(off)
124ns
Td(on)
17ns
Turn-On Energy (Eon)
560uJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Infineon IKW50N65WR5
IKW50N65WR5
50
359.49р.
Infineon IHW30N110R3
IHW30N110R3
10
270.74р.
Infineon IGW100N60H3
IGW100N60H3
25
928.50р.
Infineon IGW40N65H5
IGW40N65H5
228
292.79р.
Infineon IKP08N65H5
IKP08N65H5
410
190.39р.