Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IGW100N60H3
Артикул:
IGW100N60H3
Производитель:
Infineon
25
928.50р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
600V
Gate Charge(Qg)
625nC@15V
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
600V
Gate Charge(Qg)
625nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
4.1V@1.6mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
FS (Field Stop)
Input Capacitance(Cies)
6.1nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃
Output Capacitance(Coes)
210pF
Package
TO-247-3
Pd - Power Dissipation
714W
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
180pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
1.9mJ
Td(off)
265ns
Td(on)
30ns
Turn-On Energy (Eon)
3.7mJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Infineon IGW40N65H5
IGW40N65H5
228
292.79р.
Infineon IKP08N65H5
IKP08N65H5
410
190.39р.
Infineon IKB10N60T
IKB10N60T
304
96.11р.
Infineon IKA06N60T
IKA06N60T
403
139.72р.
Infineon IHW40N120R5
IHW40N120R5
75
314.25р.