Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IHW30N110R3
Артикул:
IHW30N110R3
Производитель:
Infineon
10
270.74р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.1kV
Gate Charge(Qg)
180nC@15V
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.1kV
Gate Charge(Qg)
180nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
5.1V@0.7mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
Input Capacitance(Cies)
1.46nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃
Output Capacitance(Coes)
55pF
Package
TO-247-3
Pd - Power Dissipation
333W
Pulsed Current- Forward(Ifm)
90A
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
45pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
240
Switching Energy(Eoff)
1.15mJ
Td(off)
350ns

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Infineon IGW100N60H3
IGW100N60H3
25
928.50р.
Infineon IGW40N65H5
IGW40N65H5
228
292.79р.
Infineon IKP08N65H5
IKP08N65H5
410
190.39р.
Infineon IKB10N60T
IKB10N60T
304
96.11р.
Infineon IKA06N60T
IKA06N60T
403
139.72р.