Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IXXX200N65B4-HXY
Артикул:
IXXX200N65B4-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
15
1436.09р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
Gate Charge(Qg)
330nC@15V
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
Gate Charge(Qg)
330nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
4.2V@0.25mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
Input Capacitance(Cies)
10.203nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃
Output Capacitance(Coes)
480pF
Package
TO-247P
Pd - Power Dissipation
1kW
Pulsed Current- Forward(Ifm)
560A
Reverse Recovery Time(trr)
190ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
70pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
9.81mJ
Td(off)
379ns
Td(on)
94ns
Turn-On Energy (Eon)
6.37mJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET APT50GR120B2-HXY
APT50GR120B2-HXY
30
997.48р.
HXY MOSFET IXXX160N65C4-HXY
IXXX160N65C4-HXY
29
1215.10р.
HXY MOSFET IXYX120N120C3-HXY
IXYX120N120C3-HXY
30
2431.84р.
HXY MOSFET IXXX160N65B4-HXY
IXXX160N65B4-HXY
30
1215.10р.
HXY MOSFET IGW75N65H5XKSA1-HXY
IGW75N65H5XKSA1-HXY
30
407.50р.