Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IXXX160N65B4-HXY
Артикул:
IXXX160N65B4-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
30
1215.10р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
Gate Charge(Qg)
330nC@15V
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
Gate Charge(Qg)
330nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
4.2V@0.25mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
Input Capacitance(Cies)
10.203nF
Minimum
1
Multiple
1
Output Capacitance(Coes)
480pF
Package
TO-247P
Pd - Power Dissipation
1kW
Pulsed Current- Forward(Ifm)
560A
Reverse Recovery Time(trr)
190ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
70pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
9.81mJ
Td(off)
379ns
Td(on)
94ns
Turn-On Energy (Eon)
6.37mJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET IGW75N65H5XKSA1-HXY
IGW75N65H5XKSA1-HXY
30
407.50р.
HXY MOSFET IXYH100N65C3-HXY
IXYH100N65C3-HXY
30
701.46р.
HXY MOSFET RGSX5TS65HRC11-HXY
RGSX5TS65HRC11-HXY
30
501.10р.
HXY MOSFET FGH75N60SFTU-HXY
FGH75N60SFTU-HXY
30
1027.12р.
HXY MOSFET IRGP4266-EPBF-HXY
IRGP4266-EPBF-HXY
30
501.10р.