Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IXYH100N65C3-HXY
Артикул:
IXYH100N65C3-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
30
701.46р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
Gate Charge(Qg)
104nC@15V
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
Gate Charge(Qg)
104nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
3.2V@250uA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
Input Capacitance(Cies)
2.81nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃
Output Capacitance(Coes)
215pF
Package
TO-247
Pd - Power Dissipation
330W
Pulsed Current- Forward(Ifm)
300A
Reverse Recovery Time(trr)
95ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
23pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
920uJ
Td(off)
130ns
Td(on)
20ns
Turn-On Energy (Eon)
2.04mJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET RGSX5TS65HRC11-HXY
RGSX5TS65HRC11-HXY
30
501.10р.
HXY MOSFET FGH75N60SFTU-HXY
FGH75N60SFTU-HXY
30
1027.12р.
HXY MOSFET IRGP4266-EPBF-HXY
IRGP4266-EPBF-HXY
30
501.10р.
HXY MOSFET APT70GR65B-HXY
APT70GR65B-HXY
30
676.40р.
HXY MOSFET IRGP4790-EPBF-HXY
IRGP4790-EPBF-HXY
30
501.10р.