Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
20.4nC
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
3V@15V,12A
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
PT (Punch-Through)
Input Capacitance(Cies)
550pF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-55℃~+150℃@(Tj)
Output Capacitance(Coes)
30pF
Package
TO-263AA
Pd - Power Dissipation
100W
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
8pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
50
Td(off)
62ns
Td(on)
35ns
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
