Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IKW25N120H3FKSA1
Артикул:
IKW25N120H3FKSA1
Производитель:
Infineon
5
712.28р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
ECCN
EAR99
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
115nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
5V@0.85mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
FS (Field Stop)
Input Capacitance(Cies)
1.43nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃
Output Capacitance(Coes)
115pF
Package
TO-247-3
Pd - Power Dissipation
326W
Pulsed Current- Forward(Ifm)
100A
Reverse Recovery Time(trr)
290ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
75pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
850uJ
Td(off)
277ns
Td(on)
27ns
Turn-On Energy (Eon)
1.8mJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Infineon FZ600R17KE4
FZ600R17KE4
3
9057.89р.
ROHM DTA123JE3HZGTL
DTA123JE3HZGTL
100
7.67р.
VISHAY VS-10ETS08STRL-M3
VS-10ETS08STRL-M3
57
167.50р.
ROHM DTC115EE3HZGTL
DTC115EE3HZGTL
50
6.72р.
VISHAY SE50PAJHM3/I
SE50PAJHM3/I
91
92.17р.