Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IKW50N65RH5XKSA1
Артикул:
IKW50N65RH5XKSA1
Производитель:
Infineon
28
702.06р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
ECCN
EAR99
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
120nC
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
2.1V@15V,50A
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
FS (Field Stop)
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃@(Tj)
Package
TO-247-3
Pd - Power Dissipation
305W
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
180uJ
Td(off)
180ns
Td(on)
22ns
Turn-On Energy (Eon)
230uJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Infineon IKW15N120CS7XKSA1
IKW15N120CS7XKSA1
5
342.71р.
Infineon IKW08N120CS7XKSA1
IKW08N120CS7XKSA1
6
487.49р.
Infineon IHW40N65R5XKSA1
IHW40N65R5XKSA1
10
530.00р.
Infineon IKW50N60DTP
IKW50N60DTP
134
277.99р.
Infineon IHW20N65R5
IHW20N65R5
5
407.75р.