Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IKW50N60DTP
Артикул:
IKW50N60DTP
Производитель:
Infineon
134
277.99р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
600V
ECCN
EAR99
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
600V
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
249nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
4.1V@0.8mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
FS (Field Stop)
Input Capacitance(Cies)
1.95nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃
Output Capacitance(Coes)
109pF
Package
TO-247-3
Pd - Power Dissipation
319.2W
Pulsed Current- Forward(Ifm)
150A
Reverse Recovery Time(trr)
115ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
67pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
850uJ
Td(off)
215ns
Td(on)
20ns
Turn-On Energy (Eon)
1.53mJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Infineon IHW20N65R5
IHW20N65R5
5
407.75р.
Infineon IKA10N60TXKSA1
IKA10N60TXKSA1
1
160.24р.
Infineon IKN03N60RC2ATMA1
IKN03N60RC2ATMA1
90
65.35р.
Infineon IKN01N60RC2ATMA1
IKN01N60RC2ATMA1
7
33.11р.
Infineon IKN06N60RC2ATMA1
IKN06N60RC2ATMA1
10
48.15р.