Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IKQ140N120CH7XKSA1-HXY
Артикул:
IKQ140N120CH7XKSA1-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
19
1207.96р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Gate Charge(Qg)
473nC
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Gate Charge(Qg)
473nC
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
5.17V@2.24mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
Input Capacitance(Cies)
16.191nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃
Output Capacitance(Coes)
407pF
Package
TO-247P
Pd - Power Dissipation
1.091kW
Pulsed Current- Forward(Ifm)
560A
Reverse Recovery Time(trr)
137ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
59.4pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
8.9mJ
Td(off)
359ns
Td(on)
183ns
Turn-On Energy (Eon)
11.9mJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET IKQ140N120CH7XKSA1-HXY
IKQ140N120CH7XKSA1-HXY
19
1207.96р.
HXY MOSFET AOK40B65HQ2
AOK40B65HQ2
30
460.11р.
HXY MOSFET NGTB40N65FL2WG-HXY
NGTB40N65FL2WG-HXY
30
490.68р.
HXY MOSFET IKW40N120CH7XKSA1-HXY
IKW40N120CH7XKSA1-HXY
4
523.14р.
HXY MOSFET FGH60N60SFDTU-HXY
FGH60N60SFDTU-HXY
30
629.92р.