Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
NGTB40N65FL2WG-HXY
Артикул:
NGTB40N65FL2WG-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
30
490.68р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
Gate Charge(Qg)
57nC@15V
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
Gate Charge(Qg)
57nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
3.2V@250uA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
Input Capacitance(Cies)
1.52nF
Minimum
1
Multiple
1
Output Capacitance(Coes)
110pF
Package
TO-247
Pd - Power Dissipation
250W
Pulsed Current- Forward(Ifm)
160A
Reverse Recovery Time(trr)
56ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
11pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
430uJ
Td(off)
136ns
Td(on)
26ns
Turn-On Energy (Eon)
900uJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET NGTB40N65FL2WG-HXY
NGTB40N65FL2WG-HXY
30
490.68р.
HXY MOSFET IKW40N120CH7XKSA1-HXY
IKW40N120CH7XKSA1-HXY
4
523.14р.
HXY MOSFET FGH60N60SFDTU-HXY
FGH60N60SFDTU-HXY
30
629.92р.
HXY MOSFET IKW60N60H3-HXY
IKW60N60H3-HXY
30
553.05р.
HXY MOSFET MBQ40T120QESTH-HXY
MBQ40T120QESTH-HXY
18
261.98р.