Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
210nC@100A,15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
3.2V@1mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
Input Capacitance(Cies)
6.56nF@25V
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃
Package
TO-247-4
Pd - Power Dissipation
536W
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
770uJ
Td(off)
421ns
Td(on)
30ns
Turn-On Energy (Eon)
850uJ
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
