Код товара:
IKB30N65EH5ATMA1Артикул:
IKB30N65EH5ATMA1
10
367.09р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650VECCN
EAR99Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
70nC@30A,15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
3.2V@0.3mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
Input Capacitance(Cies)
1.8nF@25V
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃
Package
TO-263-3
Pd - Power Dissipation
188W
Reverse Recovery Time(trr)
75ns
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
1000
Switching Energy(Eoff)
300uJ
Td(off)
159ns
Td(on)
24ns
Turn-On Energy (Eon)
870uJ
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
