Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IGW75N65H5XKSA1
Артикул:
IGW75N65H5XKSA1
Производитель:
Infineon
35
481.91р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
ECCN
EAR99
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
160nC
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
3.2V@0.75mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
Input Capacitance(Cies)
3.8nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃@(Tj)
Output Capacitance(Coes)
80pF
Package
TO-247-3
Pd - Power Dissipation
395W
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
17pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
950uJ
Td(off)
174ns
Td(on)
28ns
Turn-On Energy (Eon)
2.25mJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Infineon AIGB30N65F5ATMA1
AIGB30N65F5ATMA1
10
463.90р.
Infineon IKD10N60RC2ATMA1
IKD10N60RC2ATMA1
68
117.25р.
Infineon IKD04N60RC2ATMA1
IKD04N60RC2ATMA1
30
90.06р.
Infineon IKY75N120CH3XKSA1
IKY75N120CH3XKSA1
2
1596.76р.
Infineon IKZA75N65SS5XKSA1
IKZA75N65SS5XKSA1
6
1111.42р.