Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IKD10N60RC2ATMA1
Артикул:
IKD10N60RC2ATMA1
Производитель:
Infineon
68
117.25р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
600V
ECCN
EAR99
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
600V
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
48nC
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
2.3V@15V,10A
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
FS (Field Stop)
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃@(Tj)
Package
TO-252
Pd - Power Dissipation
79W
Reverse Recovery Time(trr)
104ns
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
2500
Switching Energy(Eoff)
170uJ
Td(off)
250ns
Td(on)
14ns
Turn-On Energy (Eon)
320uJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Infineon IKD04N60RC2ATMA1
IKD04N60RC2ATMA1
30
90.06р.
Infineon IKY75N120CH3XKSA1
IKY75N120CH3XKSA1
2
1596.76р.
Infineon IKZA75N65SS5XKSA1
IKZA75N65SS5XKSA1
6
1111.42р.
Infineon IKW20N60TFKSA1
IKW20N60TFKSA1
4
340.88р.
Infineon IGW40T120FKSA1
IGW40T120FKSA1
2
640.06р.