Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
APT50GT120B2RG-HXY
Артикул:
APT50GT120B2RG-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
30
1122.08р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Gate Charge(Qg)
200nC@15V
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Gate Charge(Qg)
200nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
5.1V@250uA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
Input Capacitance(Cies)
6.42nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃
Output Capacitance(Coes)
195pF
Package
TO-247P
Pd - Power Dissipation
600W
Pulsed Current- Forward(Ifm)
200A
Reverse Recovery Time(trr)
380ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
42pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
1.8mJ
Td(off)
216ns
Td(on)
55ns
Turn-On Energy (Eon)
2.65mJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET APT75GP120B2G-HXY
APT75GP120B2G-HXY
30
1765.88р.
HXY MOSFET APT50GF120B2RG-HXY
APT50GF120B2RG-HXY
30
1759.26р.
HXY MOSFET IXXX200N65B4-HXY
IXXX200N65B4-HXY
15
1436.09р.
HXY MOSFET APT50GR120B2-HXY
APT50GR120B2-HXY
30
997.48р.
HXY MOSFET IXXX160N65C4-HXY
IXXX160N65C4-HXY
29
1215.10р.