Код товара:
FF1000R17IE4DPB2Артикул:
FF1000R17IE4DPB2Производитель:
InfineonКатегория
Модули IGBTДаташит
Даташит FF1000R17IE4DPB2 PDF
5413
60874.91р.
Td(off)
1.15usTd(on)
660ns1kA 1.7kV IGBT Module IGBT Modules RoHS
Официальный технический даташит Infineon FF1000R17IE4DPB2 (артикул FF1000R17IE4DPB2): Даташит FF1000R17IE4DPB2 PDF.
Характеристики
Td(off)
1.15us
Td(on)
660ns
Current - Collector(Ic)
1kA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.7kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
2.6nF
IGBT Type
IGBT Module
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
5.8V
Gate Charge(Qg)
10uC
Vce Saturation(VCE(sat))
2.45V
Switching Energy(Eoff)
210mJ
Turn-On Energy (Eon)
260mJ
Operating Temperature
-40℃~+150℃
Input Capacitance(Cies)
81nF
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
3
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85416010
HTS_TARIC
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_CN
8541600000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_CA
8541600010
HTS_US
8541600080
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
