Код товара:
FD900R12IP4DАртикул:
FD900R12IP4DПроизводитель:
InfineonКатегория
Модули IGBTДаташит
Даташит FD900R12IP4D PDF
40680
37628.46р.
Td(off)
850nsPd - Power Dissipation
5.1kW5.1kW 900A 1.2kV IGBT Module IGBT Modules RoHS
Официальный технический даташит Infineon FD900R12IP4D (артикул FD900R12IP4D): Даташит FD900R12IP4D PDF.
Характеристики
Td(off)
850ns
Pd - Power Dissipation
5.1kW
Td(on)
200ns
Current - Collector(Ic)
900A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
2.8nF
IGBT Type
IGBT Module
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
2.05V@15V,900A
Gate Charge(Qg)
6.4uC@15V
Vce Saturation(VCE(sat))
2.05V
Switching Energy(Eoff)
205mJ
Turn-On Energy (Eon)
80mJ
Operating Temperature
-40℃~+150℃
Input Capacitance(Cies)
54nF@25V
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
3
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85416010
HTS_TARIC
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_CN
8541600000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_CA
8541600010
HTS_US
8541600080
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
