Код товара:
FF100R12KS4Артикул:
FF100R12KS4Производитель:
InfineonКатегория
Модули IGBTДаташит
Даташит FF100R12KS4 PDF
37636
5764.60р.
Td(off)
530ns;550nsPd - Power Dissipation
780W780W 150A 1.2kV IGBT Module IGBT Modules RoHS
Официальный технический даташит Infineon FF100R12KS4 (артикул FF100R12KS4): Даташит FF100R12KS4 PDF.
Характеристики
Td(off)
530ns;550ns
Pd - Power Dissipation
780W
Td(on)
100ns;110ns
Current - Collector(Ic)
150A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
420pF
IGBT Type
IGBT Module
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
5.5V
Gate Charge(Qg)
1.1uC@15V
Vce Saturation(VCE(sat))
3.2V;3.85V
Switching Energy(Eoff)
7.7mJ
Turn-On Energy (Eon)
9.5mJ
Operating Temperature
-40℃~+125℃
Input Capacitance(Cies)
6.5nF
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
10
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85416010
HTS_TARIC
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_CN
8541600000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_CA
8541600010
HTS_US
8541600080
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
