Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
XP262N7002TR-G-HXY
Артикул:
XP262N7002TR-G-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
60
7.04р.
Ciss-Input Capacitance
21pF
Current - Continuous Drain(Id)
300mA
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
21pF
Current - Continuous Drain(Id)
300mA
Drain to Source Voltage
60V
Gate Charge(Qg)
1.7nC@4.5V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
1.2V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
10
Multiple
10
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
11pF
Package
SOT-23
Pd - Power Dissipation
350mW
RDS(on)
1Ω@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
4.2pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000
type
N-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET XP262N7002TR-G-HXY
XP262N7002TR-G-HXY
60
7.04р.
HXY MOSFET UPA2738GR-E1-AX-HXY
UPA2738GR-E1-AX-HXY
98
103.45р.
HXY MOSFET SI4835DDY-T1-E3-HXY
SI4835DDY-T1-E3-HXY
85
31.51р.
HXY MOSFET SQ4435EY-T1_BE3-HXY
SQ4435EY-T1_BE3-HXY
69
125.61р.
HXY MOSFET CWDM3011P-HXY
CWDM3011P-HXY
98
68.64р.