Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
SQ4435EY-T1_BE3-HXY
Артикул:
SQ4435EY-T1_BE3-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
69
125.61р.
Ciss-Input Capacitance
1.33nF
Current - Continuous Drain(Id)
11A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
1.33nF
Current - Continuous Drain(Id)
11A
Drain to Source Voltage
30V
Gate Charge(Qg)
22nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
2.5V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
1
Multiple
1
Number
1 P-Channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
183pF
Package
SOP-8
Pd - Power Dissipation
3.7W
RDS(on)
16mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
156pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000
type
P-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET SQ4435EY-T1_BE3-HXY
SQ4435EY-T1_BE3-HXY
69
125.61р.
HXY MOSFET CWDM3011P-HXY
CWDM3011P-HXY
98
68.64р.
HXY MOSFET FDS4885C-HXY
FDS4885C-HXY
92
41.15р.
HXY MOSFET SH8J66TB1-HXY
SH8J66TB1-HXY
99
142.10р.
HXY MOSFET FDS4935A-HXY
FDS4935A-HXY
91
54.49р.