Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
SISA96DN-T1-GE3-HXY
Артикул:
SISA96DN-T1-GE3-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
455
14.23р.
Current - Continuous Drain(Id)
50A
Drain to Source Voltage
30V
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Current - Continuous Drain(Id)
50A
Drain to Source Voltage
30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
2.5V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
5
Multiple
5
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+175℃
Package
DFN3x3-8L
Pd - Power Dissipation
37.5W
RDS(on)
10mΩ@10V
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
5000
type
N-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET SISA96DN-T1-GE3-HXY
SISA96DN-T1-GE3-HXY
455
14.23р.
HXY MOSFET Si3932DV-HXY
Si3932DV-HXY
415
14.12р.
HXY MOSFET SI7336ADP-T1-GE3-HXY
SI7336ADP-T1-GE3-HXY
839
60.35р.
HXY MOSFET SI7336ADP-T1-E3-HXY
SI7336ADP-T1-E3-HXY
43
98.29р.
HXY MOSFET CSD16403Q5A-HXY
CSD16403Q5A-HXY
151
68.27р.