Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
SIR464DP-T1-GE3-HXY
Артикул:
SIR464DP-T1-GE3-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
31
56.31р.
Ciss-Input Capacitance
4.345nF
Current - Continuous Drain(Id)
150A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
4.345nF
Current - Continuous Drain(Id)
150A
Drain to Source Voltage
30V
Gate Charge(Qg)
56.9nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
2.5V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
1
Multiple
1
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
340pF
Package
DFN5x6-8L
Pd - Power Dissipation
187W
RDS(on)
2.4mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
225pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
5000

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET SIR464DP-T1-GE3-HXY
SIR464DP-T1-GE3-HXY
31
56.31р.
HXY MOSFET CSD16325Q5-HXY
CSD16325Q5-HXY
14
66.30р.
HXY MOSFET SIR158DP-T1-GE3-HXY
SIR158DP-T1-GE3-HXY
35
35.07р.
HXY MOSFET DMG7430LFG-HXY
DMG7430LFG-HXY
80
14.04р.
HXY MOSFET SI7192DP-T1-GE3-HXY
SI7192DP-T1-GE3-HXY
44
84.96р.