Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
NDS355AN-HXY
Артикул:
NDS355AN-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
10
7.14р.
Ciss-Input Capacitance
233pF
Current - Continuous Drain(Id)
4A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
233pF
Current - Continuous Drain(Id)
4A
Drain to Source Voltage
30V
Gate Charge(Qg)
3nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
2.5V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
10
Multiple
10
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
44pF
Package
SOT-23
Pd - Power Dissipation
1W
RDS(on)
38mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
33pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000
type
N-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET NDS355AN-HXY
NDS355AN-HXY
10
7.14р.
HXY MOSFET AO8822-HXY
AO8822-HXY
40
17.68р.
HXY MOSFET DMN2016UTS-HXY
DMN2016UTS-HXY
370
21.11р.
HXY MOSFET IRLML2803PBF-HXY
IRLML2803PBF-HXY
60
8.76р.
HXY MOSFET FDN357N-HXY
FDN357N-HXY
10
7.20р.