Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
FDN357N-HXY
Артикул:
FDN357N-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
10
7.20р.
Ciss-Input Capacitance
65pF
Current - Continuous Drain(Id)
4A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
65pF
Current - Continuous Drain(Id)
4A
Drain to Source Voltage
30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
2.5V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
10
Multiple
10
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
44pF
Package
SOT-23
Pd - Power Dissipation
1W
RDS(on)
38mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
33pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET FDN357N-HXY
FDN357N-HXY
10
7.20р.
HXY MOSFET DMN3051L-HXY
DMN3051L-HXY
10
5.74р.
HXY MOSFET AO3406-HXY
AO3406-HXY
410
6.32р.
HXY MOSFET Si2316DS-T1-E3-HXY
Si2316DS-T1-E3-HXY
370
24.11р.
HXY MOSFET Si2304DDS-T1-GE3-HXY
Si2304DDS-T1-GE3-HXY
2430
4.53р.