Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
Si2304DDS-T1-GE3-HXY
Артикул:
Si2304DDS-T1-GE3-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
2430
4.53р.
Current - Continuous Drain(Id)
4A
Drain to Source Voltage
30V
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Current - Continuous Drain(Id)
4A
Drain to Source Voltage
30V
Gate Charge(Qg)
3nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
2.5V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
10
Multiple
10
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
44pF
Package
SOT-23
Pd - Power Dissipation
1W
RDS(on)
38mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
33pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000
type
N-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET Si2304DDS-T1-GE3-HXY
Si2304DDS-T1-GE3-HXY
2430
4.53р.
HXY MOSFET Si2306BDS-T1-GE3-HXY
Si2306BDS-T1-GE3-HXY
425
7.69р.
HXY MOSFET FDS4897C-HXY
FDS4897C-HXY
30
23.06р.
HXY MOSFET NVTFWS015N04C-HXY
NVTFWS015N04C-HXY
42
51.02р.
HXY MOSFET NVTFS4C10N-HXY
NVTFS4C10N-HXY
9
52.81р.