Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
HIPD50N06S4L12ATMA2
Артикул:
HIPD50N06S4L12ATMA2
Производитель:
HXY MOSFET
25
63.81р.
Ciss-Input Capacitance
2.423nF
Current - Continuous Drain(Id)
50A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
2.423nF
Current - Continuous Drain(Id)
50A
Drain to Source Voltage
60V
Gate Charge(Qg)
19.3nC@4.5V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
2.5V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
1
Multiple
1
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Package
TO-252-2L
Pd - Power Dissipation
45W
RDS(on)
15mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
97pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
2500
type
N-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET HIPD50N06S4L12ATMA2
HIPD50N06S4L12ATMA2
25
63.81р.
HXY MOSFET HSTF6N65K3
HSTF6N65K3
3
52.47р.
HXY MOSFET HSTD20NF06LAG
HSTD20NF06LAG
18
90.12р.
HXY MOSFET HIRFZ48SPBF
HIRFZ48SPBF
6
81.30р.
HXY MOSFET HAOTF10N65
HAOTF10N65
26
52.65р.