Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
HAOTF10N65
Артикул:
HAOTF10N65
Производитель:
HXY MOSFET
26
52.65р.
Ciss-Input Capacitance
1.642nF
Current - Continuous Drain(Id)
10A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
1.642nF
Current - Continuous Drain(Id)
10A
Drain to Source Voltage
650V
Gate Charge(Qg)
32nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
4V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
1
Multiple
1
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
128pF
Package
TO-220F
Pd - Power Dissipation
40W
RDS(on)
1.05Ω@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
7pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
50
type
N-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET HAOTF10N65
HAOTF10N65
26
52.65р.
HXY MOSFET HSi2308DS
HSi2308DS
100
17.27р.
HXY MOSFET HSi2323DS
HSi2323DS
25
9.40р.
HXY MOSFET HSTF7N65M2
HSTF7N65M2
6
62.98р.
HXY MOSFET HIPD50N06S4L08ATMA2
HIPD50N06S4L08ATMA2
8
69.14р.