Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
HIPD50N06S4L08ATMA2
Артикул:
HIPD50N06S4L08ATMA2
Производитель:
HXY MOSFET
8
69.14р.
Ciss-Input Capacitance
3.3nF
Current - Continuous Drain(Id)
80A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
3.3nF
Current - Continuous Drain(Id)
80A
Drain to Source Voltage
60V
Gate Charge(Qg)
45nC@4.5V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
3V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
1
Multiple
1
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
260pF
Package
TO-252-2L
Pd - Power Dissipation
104W
RDS(on)
8mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
180pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
2500
type
N-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET HIPD50N06S4L08ATMA2
HIPD50N06S4L08ATMA2
8
69.14р.
HXY MOSFET HSiSH101DN
HSiSH101DN
200
34.98р.
HXY MOSFET HSi1553CDL
HSi1553CDL
295
21.89р.
HXY MOSFET HNP36P04SDG
HNP36P04SDG
8
45.49р.
HXY MOSFET HTK11S10N1L
HTK11S10N1L
56
39.81р.