Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
HIMZA65R030M1HXKSA1
Артикул:
HIMZA65R030M1HXKSA1
Производитель:
HXY MOSFET
5
1204.08р.
Ciss-Input Capacitance
3.28nF
Current - Continuous Drain(Id)
97A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
3.28nF
Current - Continuous Drain(Id)
97A
Drain to Source Voltage
650V
Gate Charge(Qg)
172nC
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
4V
Minimum
1
Multiple
1
Operating Temperature -
-55℃~+175℃
Output Capacitance(Coss)
359pF
Package
TO-247-4L
Pd - Power Dissipation
429W
RDS(on)
45mΩ
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
33pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET HIMZA65R030M1HXKSA1
HIMZA65R030M1HXKSA1
5
1204.08р.
HXY MOSFET HUJ3C120070K3S
HUJ3C120070K3S
5
904.39р.
HXY MOSFET HIMZA65R072M1HXKSA1
HIMZA65R072M1HXKSA1
10
604.72р.
HXY MOSFET HIMZ120R030M1HXKSA1
HIMZ120R030M1HXKSA1
5
1176.09р.
HXY MOSFET HAIMZH120R030M1T
HAIMZH120R030M1T
5
2270.79р.