Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
HIMZ120R030M1HXKSA1
Артикул:
HIMZ120R030M1HXKSA1
Производитель:
HXY MOSFET
5
1176.09р.
Ciss-Input Capacitance
3.357nF
Current - Continuous Drain(Id)
63A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
3.357nF
Current - Continuous Drain(Id)
63A
Drain to Source Voltage
1.2kV
Gate Charge(Qg)
118nC
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
3.6V
Minimum
1
Multiple
1
Operating Temperature -
-40℃~+175℃
Output Capacitance(Coss)
129pF
Package
TO-247-4L
Pd - Power Dissipation
283W
RDS(on)
43mΩ
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
8pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET HIMZ120R030M1HXKSA1
HIMZ120R030M1HXKSA1
5
1176.09р.
HXY MOSFET HAIMZH120R030M1T
HAIMZH120R030M1T
5
2270.79р.
HXY MOSFET HNTH4L060N065SC1
HNTH4L060N065SC1
5
713.99р.
HXY MOSFET HNTH4L045N065SC1
HNTH4L045N065SC1
3
792.45р.
HXY MOSFET HSTPSC10H065D
HSTPSC10H065D
10
155.09р.