Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
HAIMW120R080M1XKSA1
Артикул:
HAIMW120R080M1XKSA1
Производитель:
HXY MOSFET
4
583.21р.
Ciss-Input Capacitance
1.13nF
Current - Continuous Drain(Id)
36A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
1.13nF
Current - Continuous Drain(Id)
36A
Drain to Source Voltage
1.2kV
Gate Charge(Qg)
71nC
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
4V
Minimum
1
Multiple
1
Operating Temperature -
-56℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
92pF
Package
TO-247-3
Pd - Power Dissipation
192W
RDS(on)
98mΩ
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
7.6pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET HAIMW120R080M1XKSA1
HAIMW120R080M1XKSA1
4
583.21р.
HXY MOSFET HNVH4L015N065SC1
HNVH4L015N065SC1
5
1860.25р.
HXY MOSFET HE3M0045065K
HE3M0045065K
5
766.95р.
HXY MOSFET HIMZA120R040M1HXKSA1
HIMZA120R040M1HXKSA1
5
1083.14р.
HXY MOSFET HIMZA65R030M1HXKSA1
HIMZA65R030M1HXKSA1
5
1204.08р.