Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
HBAV21WSE308
Артикул:
HBAV21WSE308
Производитель:
HXY MOSFET
40
6.04р.
Current - Rectified
200mA
Diode Configuration
Independent
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Current - Rectified
200mA
Diode Configuration
Independent
HTS_BR
85411011
HTS_CA
8541100090
HTS_CN
8541100000
HTS_IN
85411000
HTS_MX
8541.10.01
HTS_TARIC
8541100000
HTS_US
8541100040
Minimum
10
Multiple
10
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
2A
Operating Junction Temperature Range
-55℃~+150℃
Package
SOD-323
Pd - Power Dissipation
250mW
Reverse Leakage Current (Ir)
100nA@200V
Reverse Recovery Time (trr)
50ns
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
200V
Voltage - Forward(Vf@If)
1.25V@200mA

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET HBAV21WSE308
HBAV21WSE308
40
6.04р.
HXY MOSFET HBAS321JX
HBAS321JX
80
3.71р.
HXY MOSFET HMMSD4148T1G
HMMSD4148T1G
100
2.07р.
HXY MOSFET HRN1306LF
HRN1306LF
50
7.45р.
HXY MOSFET HRN1101LXHF
HRN1101LXHF
70
4.81р.