Код товара:
MMBT3906MАртикул:
MMBT3906MПроизводитель:
MSKSEMIКатегория
Одиночные биполярные транзисторыДаташит
Даташит MMBT3906M PDF
42068
2.03р.
Current - Collector Cutoff
100nAOperating Temperature
-55℃~+150℃Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 200mA 100mW Surface Mount SOT-723
Официальный технический даташит MSKSEMI MMBT3906M (артикул MMBT3906M): Даташит MMBT3906M PDF.
Характеристики
Current - Collector Cutoff
100nA
Operating Temperature
-55℃~+150℃
Transition frequency(fT)
300MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO
40V
Emitter-Base Voltage VEBO
5V
DC Current Gain
100
Current - Collector(Ic)
200mA
Pd - Power Dissipation
100mW
Configuration
Standalone
Number
1 PNP
type
PNP
Vce Saturation(VCE(sat))
300mV
Package
SOT-723
Minimum
20
Multiple
20
Standard Packaging
8000
Sales Unit
Piece
HTS_BR
85412199
HTS_TARIC
8541210000
HTS_IN
85412100
HTS_CN
8541210000
HTS_MX
8541.21.01
HTS_CA
8541210000
HTS_US
8541210095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
