Код товара:
MMBT3906DFNАртикул:
MMBT3906DFNПроизводитель:
MSKSEMIКатегория
Одиночные биполярные транзисторыДаташит
Даташит MMBT3906DFN PDF
75360
1.56р.
Operating Temperature
-55℃~+150℃Current - Collector Cutoff
100nABipolar (BJT) Transistor PNP 40V 200mA Surface Mount DFN1006-3
Официальный технический даташит MSKSEMI MMBT3906DFN (артикул MMBT3906DFN): Даташит MMBT3906DFN PDF.
Характеристики
Operating Temperature
-55℃~+150℃
Current - Collector Cutoff
100nA
Transition frequency(fT)
300MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO
40V
DC Current Gain
300
Emitter-Base Voltage VEBO
5V
Pd - Power Dissipation
200mW
Current - Collector(Ic)
200mA
Configuration
Standalone
Number
1 PNP
type
PNP
Vce Saturation(VCE(sat))
300mV
Package
DFN1006-3
Minimum
50
Multiple
50
Standard Packaging
10000
Sales Unit
Piece
HTS_BR
85412199
HTS_TARIC
8541210000
HTS_IN
85412100
HTS_CN
8541210000
HTS_MX
8541.21.01
HTS_CA
8541210000
HTS_US
8541210095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
