Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
STGWA50M65DF2-HXY
Артикул:
STGWA50M65DF2-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
30
337.36р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
Gate Charge(Qg)
71nC@15V
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
Gate Charge(Qg)
71nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
3.2V@250uA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
Input Capacitance(Cies)
1.916nF@25V
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃
Package
TO-247
Pd - Power Dissipation
250W
Reverse Recovery Time(trr)
56ns
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
510uJ
Td(off)
110ns
Td(on)
17ns
Turn-On Energy (Eon)
1.35mJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET STGWA50M65DF2-HXY
STGWA50M65DF2-HXY
30
337.36р.
HXY MOSFET NGTB40N120FL2WG-HXY
NGTB40N120FL2WG-HXY
20
338.49р.
HXY MOSFET FGH40T65SQD-F155-HXY
FGH40T65SQD-F155-HXY
30
306.79р.
HXY MOSFET IKW50N60H3-HXY
IKW50N60H3-HXY
19
261.61р.
HXY MOSFET STGYA50H120DF2-HXY
STGYA50H120DF2-HXY
20
551.05р.