Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
RGWS00TS65GC13-HXY
Артикул:
RGWS00TS65GC13-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
30
448.35р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
Gate Charge(Qg)
71nC@15V
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
Gate Charge(Qg)
71nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
3.2V@250uA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
Input Capacitance(Cies)
1.916nF@25V
Minimum
1
Multiple
1
Package
TO-247
Pd - Power Dissipation
250W
Reverse Recovery Time(trr)
56ns
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
510uJ
Td(off)
110ns
Td(on)
17ns
Turn-On Energy (Eon)
1.35mJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET RGS00TS65HRC11-HXY
RGS00TS65HRC11-HXY
30
378.38р.
HXY MOSFET RGTH00TS65GC11-HXY
RGTH00TS65GC11-HXY
30
364.26р.
HXY MOSFET APT45GR65B-HXY
APT45GR65B-HXY
30
499.65р.
HXY MOSFET IGW50N65H5AXKSA1-HXY
IGW50N65H5AXKSA1-HXY
30
392.34р.
HXY MOSFET IRGP4760-EPBF-HXY
IRGP4760-EPBF-HXY
30
364.26р.