Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
104nC
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
5V@6.1mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
FS (Field Stop)
Input Capacitance(Cies)
2.82nF@30V
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃
Package
TO-247N
Pd - Power Dissipation
555W
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
3.1mJ
Td(off)
199ns
Td(on)
49ns
Turn-On Energy (Eon)
3mJ
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
