Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
NGTG35N65FL2WG-HXY
Артикул:
NGTG35N65FL2WG-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
19
253.86р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
Gate Charge(Qg)
57nC@15V
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
Gate Charge(Qg)
57nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
3.2V@250uA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
Input Capacitance(Cies)
1.52nF@25V
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃
Package
TO-247
Reverse Recovery Time(trr)
56ns
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
430uJ
Td(off)
136ns
Td(on)
26ns
Turn-On Energy (Eon)
900uJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
ORIENTAL SEMI SFS06R025GF
SFS06R025GF
301
55.90р.
ORIENTAL SEMI OSG65R580FF
OSG65R580FF
999
51.30р.
HXY MOSFET IGW40N120H3-HXY
IGW40N120H3-HXY
30
498.81р.
ORIENTAL SEMI SFS08R03PNF
SFS08R03PNF
365
51.80р.
ORIENTAL SEMI OSG65R260FSF
OSG65R260FSF
338
91.39р.