20
284.02р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kVGate Charge(Qg)
95nC@15VCollector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Gate Charge(Qg)
95nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
4.5V@250uA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
FS (Field Stop)
Input Capacitance(Cies)
3.086nF
Minimum
1
Multiple
1
Output Capacitance(Coes)
126pF
Package
TO-3PN
Pd - Power Dissipation
342W
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
42.2pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
1.2mJ
Td(off)
121ns
Td(on)
29ns
Turn-On Energy (Eon)
1.06mJ
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
